扩散炉主要满足半导体电力电子器件行业、大功率集成电路等行业，对所加工硅片进行扩散、
氧化、退火、合金等工艺。主要由扩散炉加热炉体、气源系统、控制系统、超净化操作系统等组成。选用
工控机微控方式或者程控方式操作。
主要技术指标：
★可处理硅片尺寸：2—8英寸
★外型形式：卧式1—4管结构
★工作温度：200℃—1300℃
★恒温区长度及精度：200mm—1100mm≤±0.5℃
★单点温度稳定性、重复性：≤±0.5℃／24h
★温度斜变：可控升温速率20℃／min，
★可控降温速率：5℃／min
★送片装置：全自动悬臂推拉舟、拉杆是推拉舟、手动推拉
★气路系统：1—5路工艺
气体／管
★气体控制：全自动MFC、手动浮子
流量计 ★控制方式：工控机、
触摸屏![]()
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