西安智盈电气科技有限公司
主营产品：半导体测试设备、雪崩浪涌测试仪、IGBT动态静态
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| 门极触发电压/门极触发电流测试单元IGT/VGT | 阳极电压：12V 阳极串联电阻：6Ω 门极触发电压：0.3～5.00V ±3%±10mV 门极触发电流：2～450mA ±3%±1 mA |
| 维持电流测试单元IH | 阳极电压：12V 预导通电流：＞10A,正弦衰减波 维持电流： 2～450mA ±5%±1 mA 测试频率：单次 |
| 通态压降测试单元VTM | 平板器件通态电流：0.10～5.00kA, 分辨率：0.01kA，精度±1 0A±5% 模块器件通态电流：0.10～2.00kA, 分辨率：0.01kA，精度±1 0A±5% 电流上升沿时间：≥5ms 通态压降测试范围： 0.20～10.00V, 分辨率：0.01V，精度±0.1 V±5% 测试频率：单次 |
| 断态电压/断态漏电流VD/ID 反向电压/反向漏电流VR/IR测试单元 | 阻断电压：0.20～6.00kV, 分辨率：0.01kV, 精度±0.1 kV±3% 模块单元阻断电压：0.20～4.00kV 正反向自动测试 正/反向漏电流：0.2～100 mA, 分辨率：0.1 mA, 精度±5%±1 mA 输出保护电压和电流可计算机设定范围值；在测试时电压或漏电流超过所 设定的范围则自动保护，测试频率：50HZ |
| 断态电压临界上升率测试单元dv/dt | 电压：1200V,1600V,2000V三档， 1V，±5% 电压过冲范围：＜50V±10% DV/DT电压上升率三挡选择：dv/dt：800V/μs、1000V/μs，1200V/μs±10% |
| 阻断参数测试单元 | 测量晶闸管的VDRM、VRRM、IDRM、IRRM以及整流二极管的VRRM、IRRM等参数。 |
| 擎住电流IL | 100-1800mA |
| 平板夹具压力范围 | 6-60KN，气动加压方式 |
| 门极电阻 | 适合门极触发电压在0.95V以上器件测试 |
| 计算机控制系统 | 设备的所有工作程序，工作时序，开关的动作状态，数据的采集等均由计算机完成。工业控制机，具有抗电磁干扰能力强，排风量大等特点。 |
