新一代功率半导体元件的竞争力

与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提率并减小尺寸。2015年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。

SiC功率半导体方面，在栅极设有沟道的沟道型MOSFET的开发在2015年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型，尚未推出沟道型。沟道型MOSFET的导通电阻只有平面型的几分之一，因此可以进一步降低损耗。导通电阻降低后，采用比平面型更小的芯片面积即可获得相同载流量。也就是说，能够削减成本。

由于沟道型MOSFET具有以上特点，日本各半导体厂商将其视作“可充分发挥SiC优势的晶体管候选”，正式开始进行研究开发。这一动向在2015年 9月29日～10月4日举行的SiC相关学会“ICSCRM 2013”上得到了充分体现。在此次会议上，各企业纷纷发表了沟道型SiC MOSFET的开发成果。比如罗姆、住友电气工业及三菱电机等

日本各大企业纷纷开展GaN功率元件业务

GaN功率元件方面，日本各大企业相继发布了新产品，还有不少企业宣布涉足功率元件业务。其中，变化较大的是耐压600V的GaN功率晶体管(参阅本站报道)。耐压600V的功率晶体管能够应用于空调、电磁炉等白色家电，混合动力汽车和纯电动汽车的逆变器，光伏逆变器及工业设备等输出功率在数百～数万W的功率转换器。

亚洲企业也纷纷涉足

前面提到的企业只不过是其中一小部分，另外还有很多企业着手研发GaN功率元件，准备开展相关业务。今后在从事GaN功率元件的半导体厂商之间，估计会展开激烈的价格竞争。

尤其是韩国、大陆和台湾等亚洲半导体厂商全面涉足GaN功率元件业务之后，价格竞争将更为激烈。GaN功率半导体的生产能够沿用过去生产逻辑IC等产品使用的支持6～8英寸Si基板的生产设备以及面向LED引进的GaN类半导体外延设备等，这将推动亚洲企业涌进该市场。

实际上，在2013年5月举行的功率半导体相关会议“ISPSD 2013”上，大陆、台湾、韩国等亚洲企业纷纷发布了GaN功率元件方面的研究成果。其中，三星电子的成果备受关注。该公司已在口径200mm(8英寸)的Si基板上试制出了GaN功率晶体管。

不仅是GaN功率半导体领域，在SiC功率半导体领域，日本以外的亚洲企业的实力也在逐渐增强。实际上，准备生产SiC基板和二极管的企业越来越多，表现尤为突出的是SiC基板领域。