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北京维意真空技术应用有限责任公司

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T/PE-ALD设备

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T/PE-ALD设备

价  格:面议

品  牌:维意真空

所 在 地:北京市 北京 大兴区

应用领域:半导体与集成电路、MEMS/NEMS、传感器、光学与光电器件、催化剂、清洁与可再生能源、防腐蚀保护层 

产品卖点:可达到单原子层级别的膜厚控制,可镀高质量 ,且高阶梯覆盖性薄膜。

一、ALD原子层沉积镀膜介绍:

    原子层沉积技术(Atomic Layer Deposition)是一种原子尺度的薄膜制备技术。它可以沉积均匀一致,厚度可控、成分可调的超薄薄膜。随着纳米技术和半导体微电子技术的发展,器件和材料的尺寸要求不断地降低,同时器件结构中的宽深比不断增加,这样就要求所使用材料的厚度降低至十几纳米到几个纳米数量级。因此原子层沉积技术逐渐成为了相关制造领域不可替代的技术。其优势决定了它具有巨大的发展潜力和更加广阔的应用空间。

 

二、ALD原子层沉积镀膜原理:

    原子层沉积技术(ALD)是一种一层一层原子级生长的薄膜制备技术。理想的ALD生长过程是通过选择性交替把不同的前驱体暴露于基片的表面,在表面化学吸附并反应而形成沉积薄膜。与传统的化学气相沉积技术CVD相比,ALD技术要求严格地执行交替脉冲前驱体,以避免气相反应的过程。

    原子层沉积(ALD)包括三种主要沉积模式:连续模TM (Flow TM )、停流模

                    式TM (StopFlow TM )、压力调谐模式TM (PreTune TM

    一个完整的ALD生长循环可以分为四个步骤:

1.脉冲第一种前驱体暴露于基片表面,同时在基片表面对第一种前驱体进行化学吸附

2.惰性载气吹走剩余的没有反应的前驱体

3.脉冲第二种前驱体在表面进行化学反应,得到需要的薄膜材料


4.惰性载气吹走剩余的前驱体与反应副产物

 

使用者可通过设定循环次数或时间来实现原子级尺度厚度可控的薄膜沉积

三、ALD原子层沉积镀膜技术优势:

相对于传统的沉积工艺,ALD技术具有以下明显的优势:
 前驱体是饱和化学吸附,不需要控制反应物流量的均一性
 沉积参数的高度可控,可实现生成大面积均匀性的薄膜
 通过控制反应周期数可简单精确地以原子层厚度精度控制薄膜沉

   积的厚度
 可广泛适用于各种形状的基底
 优异的台阶覆盖性,可生成极好的三维保形性化学计量薄膜,
 优异的均匀性和一致性,可生成密集无针孔状的薄膜,
 可沉积宽深比达2000:1的结构,对纳米孔材料进行沉积
 可容易进行掺杂和界面修正,
 可以沉积多组份纳米薄膜和混合氧化物
 薄膜生长可在低温(室温到400℃)下进行
 固有的沉积均匀性和小的源尺寸,易于缩放,可直接按比例放大
 对环境要求包括灰尘不敏感

• 使用与维护成本低

五、ALD原子层沉积镀膜技术可沉积的应用

    原子层沉积技术由于其沉积参数的高度可控性(厚度;成份和结构),优异的沉积均匀性和一致性使得其在微纳电子学和纳米材料等领域具有广泛的应用潜力。

    三维的薄膜一致保型性是ALD技术的一个独特的特点。因此在很多高宽深比和超高宽深比领域的微米和纳米级的微孔、管路内沉积薄膜,薄膜的覆盖性和均匀性都非常好。ALD技术的最高沉积宽深比可达1:2000。不管是纳米管、纳米孔、纳米棒、纳米颗粒,还是普通的微型颗粒和异型表面结构均可以实现有效的包裹覆盖功能。应用的领域如:

* 内部微孔涂层

* 纳米管及纳米纤维

* 中空结构表面纳米处理

* 纳米粘合

* 生物医用材料表面处理

* 纳米颗粒包裹


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诚信:A+ 资信参考:  
  • 企业性质:生产商
  • 企业主营:ALD设备 PECVD设备 磁控溅射镀膜机 
  • 年 产 值:人民币 200万-500万元
  • 员工人数:11-50人
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