PECVD设备供应

PE-CVD等离子体增强化学气相沉积镀膜设备

一、设备概述：

    PECVD是借助于辉光放电等方法产生等离子体，辉光放电等离子体中：电子密度高109-1012cm³电子气体温度比普通气体分子温度高出10-100倍，使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应，从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术。通过反应气态放电，有效地利用了非平衡等离子体的反应特征，从根本上改变了反应体系的能量供给方式低温热等离子体化学气相沉积法具有气相法的所有优点，工艺流程简单。主要适应于现代半导体工业的发展，制取半导体器件表面钝化介质膜，如氮化硅、氧化硅、多晶硅、非晶硅及难熔金属硅化物等多种薄膜。尤其适用于新材料领域高性能的薄膜材料研究。

    传统PECVD系统设备主要由不锈钢沉积腔室、平板式电容耦合放电电极、气路控制系统、射频电源、真空获得与测量系统、电控系统、尾气处理系统、停水断电安全报警系统等组成，因其设备成本费用偏高，对于预算较低的客户受到一定限制。

    我公司生产的管式炉PECVD系统是在管式炉CVD系统基础之上进行的优良化改进，它包括小型真空管式炉，石英真空室、真空抽气与真空测量系统、气路系统、射频电源系统、物料蒸发沉积系统。电源范围宽：5-500W可调； 温度范围宽：室温-1700度可调；溅射区域宽：0-600mm可调；适用范围宽:金属薄膜，陶瓷薄膜等，复合薄膜，连续生长各种薄膜等。增加功能容易，可扩展等离子清洗刻蚀等功能。

    第二代产品在原有设置基础上增加PLC编程系统，配合我公司自主研发的“职守精灵”软件，实现信号的集中、有效、整合处理，减少表头的使用，使设备外观更加简洁，整体结构合理，占地面积减小

第三代产品是在第二代产品基础上增加进出样品缓冲室，实现样品的连续进样，这样配合滑动炉体和进样杆可实现镀膜的连续性，单个样品镀膜的实验条件相同性，更好的、更直观的检验镀膜工艺以及镀膜设备的可靠性，同时可以模拟工业化连续生产装置，提供必要的实验数据参数。

二、一代产品各主要部件说明

质量流量计控制气路系统

经调研，数字式流量计过于昂贵。我公司利用技术优势，专门为模拟流量计设计综合测控盒。在使用传统模拟型流量计的方案上，实现数字通讯控制。

采用49-32MT模拟流量计，我公司专门配置一款全面控制流量计的测控盒。组成流量计完全测控方案。流量计数据终端对流量计的每个信号和功能都有测控。包括设定流量、读取流量、清洗控制、阀控控制、远程调零实现全控制。Modbus 485通讯协议。人机界面除可对流量计全部功能进行测控外，还增加数据记录，曲线显示，流量控制过程气体配比计划，多段流量控制方案，配合真空计实现有流量计实现真空室自动恒压等功能（这些功能，流量计厂商的显示仪是无法实现的），并可根据客户要求拓展相应功能。

全面采用14位PLC模拟量采集与输出端口，使每个流量计的流量采集和流量控制完全程控化，包括流量计的清洗、阀控、关闭功能，都通过程控完成，用户可在触摸屏上对每个流量计的流量控制过程进行32段任意时间曲线设定。可以对三路流量计进行配比设置。三路可配合真空恒压过程，按比例或方案进行流量调整，以达到恒压目的。

     三路流量计，共使用三路模拟量采集、三路模拟量设定输出，三路阀控开关，三路清洗开关。组成对三路流量计的完全控制。无需另行购买原厂显示仪，全部测控在触摸屏上完成。气体流量范围为0-200，误差为±1.5%；一个气体混气罐的底部安装了液体释放阀；

    不锈钢微调阀安装在左侧可手动控制混合气体输入，亦可安装在真空抽气端与真空抽气阀组成阀组，同样达到调控炉管内真空压力的功能。

4、射频电源与匹配器

射频频率：13.56MHz     

射频功率输出范围：5~500W