PECVD镀膜设备

该系列PECVD系统具有固态等离子源、分开式反应气体进气系统，动态衬底温控，全面控制真空系统，采用集中现场控制总线技术的“值守精灵”控制软件，以及友好用户操作界面来操作。适用于室温至1400℃条件下进行的SiO2、SiNx,、 SiONx a-Si薄膜的沉积，同时可实现TEOS源沉积，SiC膜层沉积以及液态或气态源沉积其它材料，尤其适合于有机材料上保护层膜和特定温度下无损伤钝化膜的沉积。

 清洗镀膜一气呵成，杜绝二次污染；上开启结构，式样观察方便；触屏人机对话整体性操作，安全可靠；;产品采用全自动控制方式，触摸屏，数字化显示；真空系统、工作压强、电源系统及自动匹配、工艺气体流量、加热系统、运动系统、工艺过程、系统监控及数据采集等。

产品基本功能：

加热炉膛移动的速度可以调节。