HXSZ-AG
国标
镀银
桶
常温
HXSZ-AG厚銀工藝
簡 介:
HXSZ-AG 為一不含金屬之銀光劑,厚度可達100μm及光亮柔軟如鏡的純銀鍍層,經防銀變色劑處理後,抗變色性能好。貯存一年以上,鍍層幾乎不變色,可焊性良好。適用於電器和電子工業。例如可分離連接器、重型觸點、插頭和插座、高頻元件;鍍層導電性良好,接觸電阻小,而且耐磨,操作簡單,鍍液性能穩定,可以在鎳層、青銅和黃銅等銅基體上電鍍,適合掛鍍及滾鍍。
設 備:
鍍 缸: 用PYREX,PTFE,PVC,PP,等塑料製造。
整 流: 標準直流電源附有安培分鐘,安培計,電壓計及電流調控掣。
陽 極: 銀條、不銹鋼或白金鈦網。
攪 拌: 機械式依次環迴旋轉攪拌,速率為每分鐘7-14米。
過濾系統: 每小時鍍液過濾四次,使用高密度濾芯(1-3微米)。
溫度控制: 使用石英或‘鐵氟龍’的發熱筆及恆溫器。
鍍液配製:
潔淨鍍缸後,加入純水2/3缸,加熱至30℃,加入氫氧化鉀及氰化鉀,攪勻至完全混和。
加入光劑HXSZ-AG A 20毫升/升,及HXSZ-AG B 10毫升/升。
加入預先在純水溶解的氰化銀鉀。
加入純水至所需水位,攪勻至完全混和即可使用。
操作條件:
|
| 掛 鍍 | 滾 鍍 | ||
| 單位 | 範圍 | 標準 | 範圍 | 標準 |
氰化銀鉀(純銀計) | 克/升 | 20-40 | 30 | 20-40 | 30 |
游離氰化鉀 | 克/升 | 90-150 | 120 | 90-200 | 150 |
氫氧化鉀 | 克/升 | 5-10 | 7.5 | 5-10 | 7.5 |
HXSZ-AG A | 毫升/升 | 18-22 | 20 | 18-22 | 20 |
HXSZ-AG B | 毫升/升 | 8-12 | 10 | 8-12 | 10 |
陰極電流密度 | A/dm2 | 0.5-4.0 | 1 | 0.2-0.5 | 0.5 |
溫度 | 攝氏(℃) | 20-40 | 25 | 18-30 | 20 |
酸鹼度 |
| 12-12.5 | 12 | 12-12.5 | 12 |
陰陽極比例 |
| 1:1-2:1 | >2:1 | 1:1-2:1 | >1:1 |
電鍍效率 | mg/A·min | 65-70 | 67 | 65-70 | 67 |
攪拌 |
| 中度機械式 |
| 中度機械式 |
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鍍液保養:
銀之消耗: 每1安培小時需補充氰化銀鉀8克(50%金屬計),添加劑消耗約1,000安培小時需補充500毫升增光劑HXSZ-AG A或每安培小時添加0.25-l毫升 (掛鍍),每安培小時添加0.25-l毫升(滾鍍)及250毫升結晶幼化劑HXSZ-AG B作補充帶出消耗或每安培小時添加0.03-0.1毫升(掛鍍),每安培小時添加0.05-0.15毫升 (滾鍍)。
氰 化 鉀: 需保持120g/l用以復合金屬銀,助溶陽極及導電。如游離氰化鉀含量偏低,會發生陽極鈍化及低區發霧。如使用不溶性陽極,則氰化鉀會在陽極區消耗,當電流密度及溫度變高時,氰化鉀的消耗會更高。
溫 度: 對電流密度有直接影響;較高的溫度可允許使用較高的電流密度,並可幫助陽極溶解,但也加速鍍液老化。
調酸鹼度: 在電解過程中,酸鹼度會降低,用氫氧化鉀調整,需保持12度以上。
雜質控制: 注意清洗潔淨,避免帶入有機物或金屬雜質,故需定期測試鍍液,及使用連續活性碳處理。
鍍層資料:
銀 純 度: 99.9%。
鍍層密度: 105毫克/微米‧平方分米。
鍍層硬度: 100-130 VICKERS。
電鍍速度: 1微米厚,在1安培/平方分米需1.5分鐘。
電鍍速度: 1微米厚,在10安培/平方分米需9.5秒。
電鍍速度: 1微米厚,在100安培/平方分米需0.95秒。
預鍍配方:
鍍厚銀前必先做預鍍銀工序。預鍍銀可參考以下配方:-
氰化銀鉀(純銀計) 0.5-1.0克/升
氰化鉀 100-120克/升
電流密度 1-2 A/dm2
溫度 室溫